碳化矽（SIC）在半導體產業中扮演什麼角色？
黑碳化矽（SiC）
作為第三代半導體的核心材料，碳化矽（SiC）在半導體產業中的關鍵作用可以概括為以下幾點：
1.材料性能創新
寬頻隙特性
帶隙寬度為3.3eV（矽為1.1eV），擊穿電場強度為矽的10倍，適用於高壓場景（例如新能源汽車電驅動系統）。
高導熱性
熱導率為4.9W/cm·K（矽為1.5W/cm·K），散熱效率提高3倍，降低了裝置的工作溫度，增強了
可靠性。
高頻高速特性
電子飽和漂移速率達2×10⁷cm/s（是矽的兩倍），開關速度比矽元件快100倍，能量損失降低50%-70%，
適用於高頻應用。
2. 核心應用領域
功率元件
新能源車：用於馬達控制器、車載充電器（OBC）、DC/DC轉換器等，提高續航里程和充電效率。
光電/儲能：優化逆變器效率，減少能量損失。
軌道運輸/智慧電網：提高電力系統穩定性，支援高壓電力傳輸。
射頻元件：利用高抗輻射及熱導率特性應用於5G通訊基地台、雷達等高頻場景。
其他半導體裝置
LED基板：用於高亮度LED晶片的製造。
感測器和超導設備：耐高溫和化學穩定性使其適用於極端環境（例如航空航天）。
3. 產業升級與提升
取代傳統矽材料
在1200V以上高壓領域逐步取代矽基元件，體積縮小至1/10，達到輕量化。
產業鏈技術突破
單晶基板製備：透過PVT、液相方法提高晶體質量，降低缺陷密度。
精密加工：陶瓷雕銑機結合鑽石工具，實現奈米級加工精度，確保複雜結構的成型。
4. 新興場景的拓展
資料中心和人工智慧
提高電源轉換效率，縮短資料處理時間，支援AI算力需求。
消費性電子產品
減小尺寸並延長 AR/VR 設備的電池壽命。
憑藉其獨特的性能，碳化矽正在推動半導體產業向高效、高頻、高溫、高壓等場景升級，成為電力電子、通訊、新能源等領域的技術基石。